該光刻機可廣泛用(yòng)于MEMS和(hé)光電子，例如LED生産。它經過**設計(jì)，方便處理(lǐ)各種非标準基片、例如混合、高(gāo)頻元件和(hé)易碎的III-V族材料，包括砷化镓和(hé)磷化铟。而且該設備可通過選配升級套件，實現(xiàn)紫外(wài)納米壓印光刻。它具有以下(xià)亮(liàng)點：高(gāo)分辨率掩模對(duì)準光刻，特征尺寸優于0.5微米、裝配SUSS的單視(shì)場顯微鏡或分視(shì)場顯微鏡，實現(xiàn)快(kuài)速準确對(duì)準、針對(duì)厚膠工(gōng)藝進行優化的高(gāo)分辨光學系統、可選配通用(yòng)光學器件，在不同波長間進行快(kuài)速切換等。
采用(yòng)三柔性支點實現(xiàn)高(gāo)精度自(zì)動調平；真空(kōng)接觸自(zì)動曝光；樣片升降、調平、接觸、曝光、複位實現(xiàn)自(zì)動化控制；采用(yòng)積木(mù)錯位蠅眼透鏡實現(xiàn)高(gāo)均勻照明(míng)；可連續設定分離間隙；采用(yòng)雙目雙視(shì)場顯微鏡實現(xiàn)高(gāo)對(duì)準精度。整機具有性能(néng)可靠、操作(zuò)方便、自(zì)動化程度高(gāo)等特點。
光刻機通過一系列的光源能(néng)量、形狀控制手段，将光束透射過畫(huà)着線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，将線路圖成比例縮小(xiǎo)後映射到(dào)矽片上(shàng)，不同光刻機的成像比例不同，有5:1，也(yě)有4:1。然後使用(yòng)化學方法顯影，得到(dào)刻在矽片上(shàng)的電路圖（即芯片）。
一般的光刻工(gōng)藝要經曆矽片表面清洗烘幹、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對(duì)準曝光、後烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工(gōng)序。經過一次光刻的芯片可以繼續塗膠、曝光。越複雜(zá)的芯片，線路圖的層數越多，也(yě)需要更精密的曝光控制過程。
紫外(wài)光刻機工(gōng)作(zuò)原理(lǐ)
在加工(gōng)芯片的過程中，光刻機通過一系列的光源能(néng)量、形狀控制手段，将光束透射過畫(huà)着線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，将線路圖成比例縮小(xiǎo)後映射到(dào)矽片上(shàng)，然後使用(yòng)化學方法顯影，得到(dào)刻在矽片上(shàng)的電路圖。
一般的光刻工(gōng)藝要經曆矽片表面清洗烘幹、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對(duì)準曝光、後烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工(gōng)序。經過一次光刻的芯片可以繼續塗膠、曝光。越複雜(zá)的芯片，線路圖的層數越多，也(yě)需要更精密的曝光控制過程。
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