紫外(wài)光刻機的高(gāo)性價比令人印象深刻

　　光刻是一種使用(yòng)曝光将設計(jì)的掩模圖案轉移到(dào)基闆上(shàng)的工(gōng)藝。紫外(wài)光刻機是專爲實驗室研發和(hé)小(xiǎo)批量生産而設計(jì)的高(gāo)分辨率光刻系統。光刻機提供良好(hǎo)的基闆适應性，可夾持标準尺寸基闆的最大(dà)直徑爲150mm。該設備提供多種曝光方式，包括真空(kōng)、軟接觸、硬接觸、最近鄰等，可實現(xiàn)鍵合對(duì)準、納米壓紋、微接觸密封等多種功能(néng)。

　　雙面對(duì)位的整體設計(jì)技術采用(yòng)CCD圖像底部對(duì)位技術和(hé)單曝光頭正面曝光實現(xiàn)。采用(yòng)新型高(gāo)精度、多自(zì)由度光罩樣品精密對(duì)準工(gōng)作(zuò)台結構設計(jì)，光罩樣品對(duì)準過程直觀，雕刻對(duì)準速度快(kuài)，精度高(gāo)。掩膜闆和(hé)樣品的放(fàng)置采用(yòng)推拉式參考闆和(hé)真空(kōng)吸附，操作(zuò)方便。該裝置可用(yòng)于用(yòng)紫外(wài)光照射正膠或負膠，通過顯影可對(duì)樣品進行精細圖案化。

　　紫外(wài)光刻機廣泛應用(yòng)于半導體、微電子、生物器件和(hé)納米技術。而且，該系列光刻機已被多家企業、研發中心、科研院所、高(gāo)校采用(yòng)作(zuò)爲其光刻系統的基礎；其過硬的技術、技術和(hé)良好(hǎo)的服務赢得了(le)廣大(dà)用(yòng)戶的青睐。

　　作(zuò)爲光刻系統，重要的UV曝光機技術在于以下(xià)兩個方面：掩模晶圓對(duì)準和(hé)将掩模上(shàng)的圖案複制到(dào)晶圓上(shàng)，爲下(xià)一步或離子注入工(gōng)藝做準備。紫外(wài)光刻機系統的曝光方式采用(yòng)壓力可調的接觸式曝光，有效減少光刻膠對(duì)掩膜的污染和(hé)掩膜的磨損，從(cóng)而提高(gāo)掩膜的使用(yòng)壽命。因此，曝光機/光刻系統以其高(gāo)性價比令人印象深刻。