紫外(wài)光刻機可廣泛用(yòng)于MEMS和(hé)光電子，例如LED生産。它方便處理(lǐ)各種非标準基片、例如混合、高(gāo)頻元件和(hé)易碎的III-V族材料，包括砷化镓和(hé)磷化铟。而且該設備可通過選配升級套件，實現(xiàn)紫外(wài)納米壓印光刻。它具有以下(xià)亮(liàng)點：高(gāo)分辨率掩模對(duì)準光刻，特征尺寸優于0.5微米、裝配SUSS的單視(shì)場顯微鏡或分視(shì)場顯微鏡，實現(xiàn)快(kuài)速準确對(duì)準、針對(duì)厚膠工(gōng)藝進行優化的高(gāo)分辨光學系統、可選配通用(yòng)光學器件，在不同波長間進行快(kuài)速切換等。
随着電子業的飛(fēi)速發展,對(duì)作(zuò)爲電子元器件基礎的印制闆的需求量及其加工(gōng)精度的要求越來(lái)越高(gāo)。紫外(wài)線光刻機是印制闆制造工(gōng)藝中的重要設備。傳統光刻機的玻璃-邁拉曬架在生産過程中需要人工(gōng)趕氣,邁拉膜需要經常更換。由于冷卻系統過于臃腫,使得其生産成本高(gāo)、效率低(dī),已不能(néng)滿足PC B 生産的需要。在實驗基礎上(shàng)設計(jì)了(le)雙玻璃曬架光刻機，改進了(le)其主要組成部分,包括曬架系統、光路系統、冷卻系統以及電氣和(hé)控制系統的整體設計(jì)。
在計(jì)算(suàn)機的控制下(xià)，利用(yòng)聚焦電子束對(duì)有機聚合物（通常稱爲電子抗蝕劑或光刻膠）進行曝光，受電子束輻照後的光刻膠，其物理(lǐ)化學性質發生變化，在一定的溶劑中形成良溶或非良溶區(qū)域，從(cóng)而在抗蝕劑上(shàng)形成精細圖形。
對(duì)光源系統的要求
a.有适當的波長。波長越短，可曝光的特征尺寸就越小(xiǎo)；[波長越短，就表示光刻的刀(dāo)鋒越鋒利，刻蝕對(duì)于精度控制要求越高(gāo)，因爲衍射現(xiàn)象會(huì)更嚴重。
b.有足夠的能(néng)量。能(néng)量越大(dà)，曝光時(shí)間就越短；
c.曝光能(néng)量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用(yòng)光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來(lái)衡量光是否均勻分布]
常用(yòng)的紫外(wài)光光源是高(gāo)壓弧光燈（高(gāo)壓汞燈），高(gāo)壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光後使用(yòng)其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
對(duì)于波長更短的深紫外(wài)光光源，可以使用(yòng)準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和(hé)F2準分子激光（157 nm）等。
曝光系統的功能(néng)主要有：平滑衍射效應、實現(xiàn)均勻照明(míng)、濾光和(hé)冷光處理(lǐ)、實現(xiàn)強光照明(míng)和(hé)光強調節等。
當前位置：
地址：安徽省合肥市經開(kāi)區(qū)尚澤大(dà)都會(huì)A座2214
郵箱：1053185136@qq.com
傳真：