紫外(wài)光刻機的性能(néng)指标主要集中在這(zhè)幾個方面

　　紫外(wài)光刻機的主要性能(néng)指标包括：支撐基闆的尺寸範圍、分辨率、對(duì)位精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生産效率等。

　　

　　1、分辨率是描述光刻可以達到(dào)的最細線精度的一種方式。光刻機的分辨率受到(dào)光源衍射的限制，因此受到(dào)光源、光刻系統、光刻膠和(hé)工(gōng)藝的限制。

　　

　　2、對(duì)準精度是多層曝光時(shí)層間圖案的定位精度。

　　

　　3、曝光方式分爲接觸接近、投影和(hé)直寫。

　　

　　4、曝光光源的波長分爲紫外(wài)區(qū)、深紫外(wài)區(qū)和(hé)極紫外(wài)區(qū)。光源包括汞燈、準分子激光器等。

　　

　　紫外(wài)光刻機廣泛應用(yòng)于半導體、微電子、生物器件和(hé)納米技術。重要的技術在于以下(xià)兩個方面：掩模晶圓對(duì)準，以及将掩模上(shàng)的圖案複制到(dào)晶圓上(shàng)，爲下(xià)一步或離子注入工(gōng)藝做準備。曝光方式采用(yòng)壓力可調的接觸曝光，有效降低(dī)了(le)光刻膠對(duì)掩模版的污染和(hé)掩模版的磨損，提高(gāo)了(le)掩模版的使用(yòng)壽命。因此，曝光機/光刻系統以其高(gāo)性價比令人印象深刻。

　　

　　紫外(wài)光刻機高(gāo)分辨率光刻，光燒蝕/光解/光催化工(gōng)藝，表面能(néng)改性，臭氧産生，低(dī)損傷原子表面清潔，增強薄膜附着力，高(gāo)功率平面真空(kōng)紫外(wài)光爲光處理(lǐ)提供了(le)新的可能(néng)性。大(dà)功率弧光燈的革命性使用(yòng)具有出色的均勻性和(hé)通用(yòng)性，高(gāo)效緊湊的模塊化設計(jì)，這(zhè)些(xiē)都是在172nm光源上(shàng)實現(xiàn)的。此外(wài)，還創造性地推出了(le)真空(kōng)紫外(wài)線處理(lǐ)系統。