紫外(wài)光刻機強力助攻微納器件制備

　　紫外(wài)光刻機新一代紫外(wài)光源：172nm，具有同類産品良好(hǎo)的輸出強度，3%的可用(yòng)孔徑，弧光燈使用(yòng)壽命更長。暴露高(gāo)達30000次，瞬間啓動，無需超淨室，内置淨化系統可使系統在大(dà)氣環境中工(gōng)作(zuò)，無需主動冷卻和(hé)外(wài)部冷卻，無有毒氣體和(hé)汞等物質。高(gāo)光能(néng)轉換率（EVU僅爲0.02%），節能(néng)；傳統的UV處理(lǐ)會(huì)存在以上(shàng)問題。光刻操作(zuò)可以在幾分鐘(zhōng)内完成，維護簡單，幾乎不需要培訓。

　　

　　1、微米級高(gāo)分辨率投影光刻。

　　

　　2、實現(xiàn)無遮罩任意圖案書寫，所見即所得，即時(shí)。

　　

　　3、200mm行程拼接，100nm拼接精度。

　　

　　4、視(shì)覺引導光斑，支持雕刻。

　　

　　5、全自(zì)動操作(zuò)，圖形縮放(fàng)、旋轉、定位、掃描、拼接均由軟件完成。

　　

　　紫外(wài)光刻機紫外(wài)投影光刻技術将特定形狀的光斑投射到(dào)塗在器件表面的光刻膠上(shàng)。光刻膠的照射區(qū)域會(huì)産生化學變化。曝光顯影後，可形成微米級精密圖案；通過進一步的蝕刻或蒸發，可以在樣品表面形成所需的結構。UV投影光刻作(zuò)爲材料、器件、微結構和(hé)微器件的常用(yòng)制備技術，廣泛應用(yòng)于微納米結構制備、半導體器件電極制備、太赫茲/毫米波器件制備、光學掩模制備、PCB制造等應用(yòng)。

　　

　　傳統的UV投影光刻機需要先制作(zuò)掩模版，耗材成本高(gāo)，制備周期長，難以滿足材料和(hé)器件實驗室對(duì)靈活性和(hé)實驗進度的要求。近年來(lái)開(kāi)發的紫外(wài)光刻機技術突破了(le)這(zhè)一技術限制，實現(xiàn)了(le)任意形狀編程和(hé)全自(zì)動高(gāo)精度大(dà)面積拼接的無掩模光刻，随時(shí)将您的設計(jì)轉化爲實際的成品，大(dà)大(dà)減少了(le)開(kāi)發和(hé)測試周期，強有力的助攻微納器件制備的“臨門(mén)一腳”。